国务院通过两大集成电路重大专项方案

电子工程世界 2008-4-28 15:11:53

　　国务院总理温家宝23日主持召开国务院常务会议，审议并原则通过两个国家科技重大专项实施方案。

　　会议指出，“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”和“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”两个国家科技重大专项，是二十一世纪信息战略高技术的发展重点。要通过专项的实施，逐步实现核心电子器件的国产化，形成具有国际竞争力的高端通用芯片和基础软件研发与产业化体系；掌握具有自主知识产权的集成电路制造成套先进工艺与所需新材料技术，带动装备制造业和材料产业的发展，促进产业结构调整，提高国家核心竞争力。会议认为，以上两个重大专项经过科学、民主、严格的论证，已基本成熟，具备启动实施的条件，各有关部门要根据会议提出的意见进一步完善方案，抓紧组织实施。

　　2000年，国务院曾公布《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(业内称“18号文件”)，当时被当成国家对集成电路产业快速发展的促进，然而围绕“新18号文件（《关于进一步鼓励软件和集成电路产业发展的若干政策》）”的出台一直有诸多猜测和期待。此次两大专项的通过似乎是在明显表示：国家对集成电路的鼓励政策更加坚定。

　　这两大专项直指中国集成电路产业链上薄弱的芯片设计和芯片制造环节。虽然有曾经的“908”、“909”工程，虽然已经过多年的发展，中国集成电路产业的落后依然不容置疑。必须承认，整体的产业结构严重失衡，设计企业少而弱，制造方面虽有半导体巨头纷纷设厂，但以封装测试为主，而且由于国外政策的限制，制造工艺均落后于国外。至于制造设备，几乎完全依赖进口。

　　背景资料：中国集成电路大事记

　　1947年，美国贝尔实验室发明了晶体管。

　　1956年，中国提出“向科学进军”，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。

　　1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

　　1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

　　1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

　　1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

　　1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

　　1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

　　1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

　　1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

　　1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

　　七十年代初，全国掀起了建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成。

　　1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

　　1973年，我国7个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条3英寸工艺线，最后只有北京878厂，航天部陕西骊山771所和贵州都匀4433厂。

　　1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子中心）研制的ECL型（发射极耦合逻辑）电路。